Khoa học kỹ thuật và công nghệ

Chế tạo pin năng lượng mặt trời màng mỏng có tỷ lệ chuyển đổi cao (12/06/2015)

Nhóm nghiên cứu thuộc Học viện Hàn lâm Khoa học Nga mới đây đã nghiên cứu và phát triển thành công một loại pin năng lượng mặt trời màng mỏng, mô-đun pin năng lượng mặt trời này được làm bằng chất liệu silicon, hiệu suất chuyển đổi quang điện cao hơn so với lý thuyết.

Công ty năng lượng Hevel của Nga đã hợp tác với đối tác Thụy Sĩ và thành lập nhà máy sản xuất pin năng lượng mặt trời ở Nga, sản lượng hàng năm của mô-đun pin năng lượng mặt trời màng mỏng là 100 MW. Kỹ thuật sản xuất của đối tác Thụy Sĩ đảm bảo hiệu suất chuyển đổi quang điện của mô-đun pin năng lượng mặt trời. Để hoàn thiện kỹ thuật này đồng thời nâng cao hơn nữa hiệu suất chuyển đổi quang điện, năm 2010 công ty năng lượng Havel Nga đã thành lập trung tâm nghiên cứu kỹ thuật pin năng lượng mặt trời màng mỏng tại Viện Vật lý và Công nghệ bay, các nhà nghiên cứu của trung tâm này dần dần đưa hiệu suất chuyển đổi quang điện của loại pin năng lượng mặt trời màng mỏng lên đến 10% và tiếp tục lên đến 12%.
Trong nghiên cứu song song, các nhà nghiên cứu Nga tập trung hoàn thiện loại sản phẩm mới, dựa trên pin năng lượng mặt trời màng mỏng silicon. Được biết, hiện nay, hiệu suất chuyển đổi quang điện của các mẫu mô-đun pin năng lượng mặt trời màng mỏng của các trung tâm nghiên cứu sản xuất công nghiệp đã đạt đến 21%, cao hơn tế bào năng lượng màng mỏng truyền thống gần 2 lần.

Nguồn: vista.vn (Theohttp://www.sciencenet.cn)